سامسونگ از برنامه خود برای نسل بعدی حافظه‌های پرسرعت HBM خبر داده است. این شرکت می‌گوید HBM5 که در حال توسعه است، با هدف ارائه عملکردی دو برابر نسل HBM4E و بهبود ۲۰ درصدی عملکرد به ازای هر وات طراحی می‌شود. سامسونگ همچنین می‌خواهد مقاومت حرارتی این نسل را ۲۰ درصد کاهش دهد تا کنترل گرمای تولیدشده در سیستم‌های هوش مصنوعی آسان‌تر شود.